2N3507中文资料Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch数据手册Central规格书
| 厂商型号 |
2N3507 |
| 参数属性 | 2N3507 封装/外壳为TO-205AD，TO-39-3 金属罐；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：2N3507 |
| 功能描述 | Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch |
| 封装外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 制造商 | Central Central Semiconductor Corp |
| 中文名称 | 美国中央半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 17:14:00 |
| 人工找货 | 2N3507价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N3507规格书详情
简介
2N3507属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2N3507晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：2N3507
- 生产厂家
：Central
- Case
：TO-39
- Configuration/ Description
：NPN General Purpose Amplifier/Switch
- Polarity
：NPN
- IC MAX
：3A
- PD MAX
：1W
- VCEO MAX
：50V
- hFE MIN
：30
- hFE MAX
：150
- @VCE
：2V
- VCE(SAT) MAX
：1V
- @IC
：1.5A
- @IB
：150mA
- Cob TYP
：-
- Cob MAX
：40pF
- fT TYP
：-
- fT MIN
：60MHz
- NF MAX
：-
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