2N3251AUB分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N3251AUB |
| 参数属性 | 2N3251AUB 封装/外壳为3-SMD，无引线；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 0.2A UB |
| 功能描述 | PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 3-SMD，无引线 |
| 文件大小 |
135.43 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Microsemi Corporation |
| 企业简称 |
MICROSEMI【美高森美】 |
| 中文名称 | 美高森美公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 10:08:00 |
| 人工找货 | 2N3251AUB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N3251AUB规格书详情
2N3251AUB属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美高森美公司制造生产的2N3251AUB晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号：
2N3251AUB
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-SMD，无引线
- 供应商器件封装：
UB
- 描述：
TRANS PNP 60V 0.2A UB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi |
22+ |
NA |
909 |
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询价 | ||
2N3252 |
2329 |
2329 |
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