2N3250中文资料Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch数据手册Central规格书
| 厂商型号 |
2N3250 |
| 参数属性 | 2N3250 封装/外壳为TO-206AA，TO-18-3 金属罐；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 40V 0.2A TO18 |
| 功能描述 | Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch |
| 封装外壳 | TO-206AA，TO-18-3 金属罐 |
| 制造商 | Central Central Semiconductor Corp |
| 中文名称 | 美国中央半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 22:30:00 |
| 人工找货 | 2N3250价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N3250规格书详情
简介
2N3250属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Central制造生产的2N3250晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：2N3250
- 生产厂家
：Central
- Case
：TO-18
- Configuration/ Description
：PNP General Purpose Amplifier/Switch
- Polarity
：PNP
- IC MAX
：200mA
- PD MAX
：360mW
- VCEO MAX
：40V
- hFE MIN
：50
- hFE MAX
：150
- @VCE
：1V
- VCE(SAT) MAX
：250mV
- @IC
：10mA
- @IB
：1mA
- Cob TYP
：-
- Cob MAX
：6pF
- fT TYP
：-
- fT MIN
：250MHz
- NF MAX
：6dB
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