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2N2907A分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2N2907A
厂商型号

2N2907A

参数属性

2N2907A 封装/外壳为TO-206AA,TO-18-3 金属罐;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 0.6A TO18

功能描述

Switching Transistor
TRANS PNP 40V 0.6A TO18

封装外壳

TO-206AA,TO-18-3 金属罐

文件大小

106.83 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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2N2907A规格书详情

2N2907A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的2N2907A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Switching Transistor

PNP Silicon Epitaxial

特性 Features

• MIL−PRF−19500/291 Qualified

• Available as JAN, JANTX, and JANTXV

• Hermetically Sealed Commercial Product with Option for Military Temperature Range Screening

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2N2907A

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.6V @ 50mA,500mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-206AA,TO-18-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-18

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.6A TO18

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