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2N2779中文资料PDF规格书

2N2779
厂商型号

2N2779

参数属性

2N2779 封装/外壳为TO-211MB,TO-63-4,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A

文件大小

296.15 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-16 14:30:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N2779

  • 别名:

    2N2779三极管、2N2779晶体管、2N2779晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    特殊封装

  • 极限工作电压:

    250V

  • 最大电流允许值:

    30A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2N6324,2N6325,3DK210E,

  • 最大耗散功率:

    200W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    F-28

  • vtest:

    250

  • htest:

    999900

  • atest:

    30

  • wtest:

    200

2N2779规格书详情

General Description

This transistor is a NPN silicon power transistor designed primarily for high power switching applications and inverters at or below the collector current give in Table I. It is intended for Industrial and Military class of service.

产品属性

  • 产品编号:

    2N2779

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    接线柱安装

  • 封装/外壳:

    TO-211MB,TO-63-4,接线柱

  • 供应商器件封装:

    TO-63

  • 描述:

    POWER BJT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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