2N2722分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF中文资料
厂商型号 |
2N2722 |
参数属性 | 2N2722 封装/外壳为TO-78-6 金属罐;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS 2NPN 40MA 45V TO78-6 |
功能描述 | Dual Transistors |
封装外壳 | TO-78-6 金属罐 |
文件大小 |
52.73 Kbytes |
页面数量 |
1 页 |
生产厂商 | Central Semiconductor Corp |
企业简称 |
CENTRAL |
中文名称 | 美国中央半导体官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 22:34:00 |
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2N2722规格书详情
2N2722属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由美国中央半导体制造生产的2N2722晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power)
产品属性
更多- 产品编号:
2N2722
- 制造商:
Central Semiconductor Corp
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
2 NPN(双)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
40mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
45V
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 1µA,5V
- 功率 - 最大值:
600mW
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-78-6 金属罐
- 供应商器件封装:
TO-78-6
- 描述:
TRANS 2NPN 40MA 45V TO78-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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