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2N2369分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

2N2369

参数属性

2N2369 封装/外壳为TO-206AA,TO-18-3 金属罐;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:SMALL-SIGNAL BJT

功能描述

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

封装外壳

TO-206AA,TO-18-3 金属罐

文件大小

44.98 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

BOCA

中文名称

博卡

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更新时间

2026-1-24 23:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N2369(A)

  • 别名:

    2N2369三极管、2N2369晶体管、2N2369晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    高速开关 (SS)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    0.2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX92,BSX93,BSY62,BSY63,2N3227,2N3261,2SC2901,3DG84B,

  • 最大耗散功率:

    0.36W

  • 放大倍数:

    β>40

  • 图片代号:

    D-8

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.2

  • wtest:

    0.36

2N2369规格书详情

APPLICATIONS

2N2369/A are NPN Silicon High Speed Saturated Switching, Transistors With

Low Power & High Speed Switching Applications.

产品属性

  • 产品编号:

    2N2369

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 功率 - 最大值:

    680mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,1V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-206AA,TO-18-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-18(TO-206AA)

  • 描述:

    SMALL-SIGNAL BJT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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