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2N2221AUB数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N2221AUB

参数属性

2N2221AUB 封装/外壳为3-SMD,扁平引线;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 0.8A 3SMD

功能描述

NPN Silicon Switching 50V, 0.8A

封装外壳

3-SMD,扁平引线

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 22:50:00

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2N2221AUB规格书详情

描述 Description

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, switching 2N2221 and 2N2222 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500/255 and two levels of product assurance (JANHC and JANKC) are provided for each unencapsulated device type. RHA level designators \"E\", \"K\", \"U\", \"M\", \"D\", \"P\", \"L\", \"R\", \"F\", \"G\" and \"H\" are appended to the device prefix to identify devices, which have passed RHA requirements.

特性 Features

The device packages for the encapsulated device types are as follows: 2N2221A and 2N2222A (TO-18, UA, UB, UBC, UBN, and UBCN).
The dimensions and topography for JANHC and JANKC unencapsulated die are as outlined in MIL-PRF-19500/255.

技术参数

  • 产品编号:

    2N2221AUB

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    3-SMD

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 0.8A 3SMD

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