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2N2219中文资料1W NPN Low Power BJT Transistor数据手册Digitron规格书

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厂商型号

2N2219

参数属性

2N2219 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.8A TO39

功能描述

1W NPN Low Power BJT Transistor

封装外壳

TO-205AD,TO-39-3 金属罐

制造商

Digitron Digitron Semiconductors

数据手册

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更新时间

2025-9-29 14:43:00

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2N2219规格书详情

描述 Description

This BJT is packaged in TO-39 package.

Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.

应用 Application

Bipolar Junction Transistors are used in power control and sensing applications in a diverse range of electronic circuits.

技术参数

  • 产品编号:

    2N2219

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.6V @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.8A TO39

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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