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2N189分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N189

参数属性

2N189 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 0.5A TO39

功能描述

alloy-junction germanium transistors

封装外壳

TO-205AD,TO-39-3 金属罐

文件大小

267.79 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

ETC List of Unclassifed Manufacturers

中文名称

未分类制造商

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更新时间

2026-2-9 13:31:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N189

  • 别名:

    2N189三极管、2N189晶体管、2N189晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_射频/高频放大 (HF)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    25V

  • 最大电流允许值:

    0.2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    AC122,AC125,AC126,AC151,AC152,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX53A,

  • 最大耗散功率:

    0.2W

  • 放大倍数:

    β=32

  • 图片代号:

    C-37

  • vtest:

    25

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.2

  • wtest:

    0.2

2N189规格书详情

[INTEX/ SEMITRONICS CORP]

alloy-junction germanium transistors

产品属性

  • 产品编号:

    2N1890S

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    5V @ 15mA,150mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 0.5A TO39

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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