2N1725中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
2N1725 |
| 参数属性 | 2N1725 封装/外壳为TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接线柱；包装为托盘；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：POWER BJT |
| 功能描述 | Triple Diffused Power Transistors |
| 文件大小 |
163.82 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-15 16:30:00 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N1725三极管、2N1725晶体管、2N1725晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
开关管 （S）_功率放大 （L）
- 封装形式：
特殊封装
- 极限工作电压：
120V
- 最大电流允许值：
5A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BLX19,2N3489,2N3492,3DK5A6,
- 最大耗散功率：
100W
- 放大倍数：
β>50
- 图片代号：
F-28
- vtest：
120
- htest：
999900
- atest：
5
- wtest：
100
2N1725规格书详情
2N1210
2N1211
2N1250
2N1620
2N1722
2N2032
2N2383
2N389
2N389A
2N424
2N424A
产品属性
- 产品编号：
2N1725
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
3 NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
80V
- 功率 - 最大值：
3W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 2A， 15V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
5A
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
接线柱安装
- 封装/外壳：
TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接线柱
- 供应商器件封装：
TO-61
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
CAN to-39 |
16900 |
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询价 | ||
S |
G7B |
10 |
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ST |
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MOTOROLA/摩托罗拉 |
专业铁帽 |
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MOT |
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