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2N1613L | NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/181 文件：59.99 Kbytes 页数：2 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
2N1613L | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5 文件：15.25 Kbytes 页数：1 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | |
2N1613L | NPN Silicon Low-Power 30V, 0.5A This specification covers the performance requirements for NPN silicon, low-power, 2N718A, 2N1613 and 2N1613L transistors. Three levels of product assurance are provided (JAN, JANTX and JANTXV) for each device type as specified in MIL-PRF-19500/181. The device packages for the encapsulated device types are as follows: 2N718A TO-18 , 2N1613 and 2N1613L similar to TO-39 and TO-5.; | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
2N1613L | Package：TO-205AD，TO-39-3 金属罐；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 30V 0.5A TO39 | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP |
产品属性
- 产品编号：
2N1613L
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 15mA，150mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，10V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-39
- 描述：
TRANS NPN 30V 0.5A TO39
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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