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2N1131中文资料PDF规格书

2N1131
厂商型号

2N1131

参数属性

2N1131 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR

文件大小

149.35 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

Microsemi美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-14 18:34:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N1131

  • 别名:

    2N1131三极管、2N1131晶体管、2N1131晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.6A

  • 最大工作频率:

    >50MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC161,BC303,BC304,2N2904(A),2N2905(A),2N4235,2N5323,3CK9D,

  • 最大耗散功率:

    0.6W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    50

  • htest:

    50000100

  • atest:

    .6

  • wtest:

    .6

产品属性

  • 产品编号:

    2N1131

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/177

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.3V @ 15mA,150mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 150mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    POWER BJT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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