2EDN7524F集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2EDN7524F |
| 参数属性 | 2EDN7524F 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE DSO8-60 |
| 功能描述 | Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 文件大小 |
1.08256 Mbytes |
| 页面数量 |
31 页 |
| 生产厂商 | Infineon |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-1 8:30:00 |
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2EDN7524F规格书详情
2EDN7524F属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由英飞凌科技股份公司制造生产的2EDN7524F栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。
产品属性
更多- 产品编号：
2EDN7524FXTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 系列：
EiceDriver™
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置：
低端
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 20V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
5A，5A
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
5.3ns，4.5ns
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
PG-DSO-8-60
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE DSO8-60
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infine |
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