| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市佳杰伟业科技有限公司12年
留言
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DIODES/美台SOT89 |
3689 |
2311+ |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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DID |
2300 |
1535+ |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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DiodesSOT-89 |
7500 |
07+/08+ |
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深圳市佳杰伟业科技有限公司12年
留言
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DIODES/美台SOT89 |
3689 |
2310+ |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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DIODESSOT89 |
24589 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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DIODES-美台SOT-89-3 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Diodes IncorporatedTO-243AA |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
2DD2150R-13采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
2DD2150R-13图片
2DD2150R-13中文资料Alldatasheet PDF
更多2DD2150R-13功能描述:两极晶体管 - BJT 1000W 20Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
2DD2150R-13
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 100mA，2V
- 频率 - 跃迁：
160MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
SOT-89-3
- 描述：
TRANS NPN 20V 3A SOT89-3
