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2DD1664P-13分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2DD1664P-13 |
参数属性 | 2DD1664P-13 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 32V 1A SOT89-3 |
功能描述 | NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
封装外壳 | TO-243AA |
文件大小 |
228.01 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | DIODES |
中文名称 | 美台半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-13 17:22:00 |
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2DD1664P-13规格书详情
2DD1664P-13属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的2DD1664P-13晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
特性 Features
• BVCEO > 32V
• Maximum Continuous Current IC = 1A
• Epitaxial Planar Die Construction
• Complementary PNP Type Available (2DB1132)
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
产品属性
更多- 产品编号:
2DD1664P-13
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
400mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
82 @ 100mA,3V
- 频率 - 跃迁:
280MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商器件封装:
SOT-89-3
- 描述:
TRANS NPN 32V 1A SOT89-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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25+ |
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