2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM

Description The HM-65162 is a CMOS 2048 x 8 Static Random Access Memory manufactured using the Intersil Advanced SAJI V process. The device utilizes asynchronous circuit design for fast cycle time and ease of use. Features • Fast Access Time . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70/90ns M

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Shielded Surface Mount Inductors

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2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM

Description\nThe HM-65162 is a CMOS 2048 x 8 Static Random Access Memory manufactured using the Intersil Advanced SAJI V process. The device utilizes asynchronous circuit design for fast cycle time and ease of use. • Fast Access Time . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70/90ns Max\n• Low Standby Current. . . . . . . . . . . .  . . . . .50µA Max\n• Low Operating Current . . . . . . . . . . .. . . . . 70mA Max\n• Data Retention at 2.0V. . . . . . . . . . . . . . . .20µA Max\n• TTL Compatible Inputs and Outputs\n;

Renesas

瑞萨

包装：盒 类别：电路保护 断路器 描述：CIR BRKR SOLID STATE 10A 24VDC

PHOENIXPHOENIX CONTACT

菲尼克斯德国菲尼克斯电气集团

Package：非标准；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：电感器，线圈，扼流圈 固定电感器 描述：FIXED IND 100UH 530MA 360MOHM SM

Murata Power Solutions Inc.