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2731-200P分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

2731-200P

参数属性

2731-200P 封装/外壳为模块;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 3.1GHZ MODULE

功能描述

200 Watts - 200關s, 10, 36V S-Band Pulsed Radar 2700 - 3100 MHz
RF TRANS 3.1GHZ MODULE

封装外壳

模块

文件大小

365.72 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

Microsemi

中文名称

美高森美

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-19 14:36:00

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2731-200P规格书详情

2731-200P属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由美高森美半导体公司制造生产的2731-200P晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

GENERAL DESCRIPTION

The 2731-200P is a 50 ohm matched Power Solution Module (PSM), consists of two common base high power transistors, for S-Band pulsed Radar systems. This PSM is capable of providing 200 Watts of pulsed RF output power at two hundreds microsecond pulse width ten percent duty factor across 2700-3100 MHz. This PSM is designed with the plug-n-play concept which is extremely user friendly and requires no additional tuning and impedance matching from the customer. Mechanical Size is 2” x 1.41” x 0.21”

• Easy To Use – 50 Ω Plug-and-Play

• Reduce Design Cycle Time

• Improve System Performance

• Reduce System Size and Components

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2731-200P

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 频率 - 跃迁:

    2.7GHz ~ 3.1GHz

  • 增益:

    8.7dB

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    模块

  • 描述:

    RF TRANS 3.1GHZ MODULE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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