| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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Marking：25W120G3-4AG；Package：HiP247-4；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 56 A in an HiP247-4 package Features •AEC-Q101qualified •VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange •Highspeedswitchingperformances •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) •Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
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