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24LC256T-E/MF集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

24LC256T-E/MF
厂商型号

24LC256T-E/MF

参数属性

24LC256T-E/MF 封装/外壳为8-VDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC EEPROM 256KBIT I2C 8DFN

功能描述

256K I2C Serial EEPROM
IC EEPROM 256KBIT I2C 8DFN

封装外壳

8-VDFN 裸露焊盘

文件大小

1.2168 Mbytes

页面数量

42

生产厂商 Microchip Technology
企业简称

MICROCHIP微芯科技

中文名称

微芯科技股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 11:10:00

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24LC256T-E/MF规格书详情

24LC256T-E/MF属于集成电路(IC)的存储器。由微芯科技股份有限公司制造生产的24LC256T-E/MF存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

Features

• Single Supply with Operation Down to 1.7V for

24AA256 and 24FC256 Devices, 2.5V for

24LC256 Devices

• Low-Power CMOS Technology:

- Write current: 3 mA, maximum

- Standby current: 1 μA maximum (I-temp.)

• Two-Wire Serial Interface, I2C Compatible

• Cascadable up to Eight Devices

• Schmitt Trigger Inputs for Noise Suppression

• Output Slope Control to Eliminate Ground Bounce

• 100 kHz, 400 kHz and 1 MHz Compatibility

• Page Write Time: 5 ms, maximum

• Self-Timed Erase/Write Cycle

• 64-Byte Page Write Buffer

• Hardware Write-Protect

• ESD Protection >4000V

• More than One Million Erase/Write Cycles

• Data Retention >200 years

• Factory Programming Available

• RoHS Compliant

• Temperature Ranges:

• Automotive AEC-Q100 Qualified

- Industrial (I): -40C to +85C

- Extended (E): -40C to +125C

产品属性

更多
  • 产品编号:

    24LC256T-E/MF

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    EEPROM

  • 技术:

    EEPROM

  • 存储容量:

    256Kb(32K x 8)

  • 存储器接口:

    I²C

  • 写周期时间 - 字,页:

    5ms

  • 电压 - 供电:

    2.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-VDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-DFN-S(6x5)

  • 描述:

    IC EEPROM 256KBIT I2C 8DFN

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