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2305-V-RC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：径向，垂直（开放式）类别：电感器，线圈，扼流圈固定电感器描述：FIXED IND 22UH 16.4A 7 MOHM TH	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2305	文件：23.42 Kbytes Page：1 Pages	InsulatedLowThermalEMFSpadeLug	POMONA Pomona Electronics	POMONA
2305-H	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
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ACE2305	文件：437.47 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE2305	文件：195.57 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE2305B	文件：940.32 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE2305BM+	文件：195.57 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE2305BM+H	文件：437.47 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
AK2305	文件：481.19 Kbytes Page：43 Pages	DualPCMCODECforISDNTERMINALADAPTER GENERALDESCRIPTION AK2305isadualPCMCODEC-FiltermostsuitableforISDNTerminalAdapter.A-law/u-lawisselectedbytheinternalregister.InadditiontoCODEC,thisdevicehasdualDTMFreceiverandExternalToneInputpin. FEATURE -DualPCMCODECandFilteringsystemsfor ISDNTerm	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
AM2305	文件：749.4 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM2305usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. TheAM2305isavailableinSOT-23package. FEATURES VDS=-20V,ID=	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM2305P	文件：68.23 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET P-Channel20-V(D-S)MOSFET TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeahighcelldensitytrenchprocesstoprovidelowrDS(on)andtoensureminimalpowerlossandheatdissipation.TypicalapplicationsareDC-DCconvertersandpowermanagementinportableandbattery-poweredproductssucha	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AM2305PE	文件：346.15 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET KeyFeatures: •LowrDS(on)trenchtechnology •Lowthermalimpedance •Fastswitchingspeed TypicalApplications: •WhiteLEDboostconverters •AutomotiveSystems •IndustrialDC/DCConversionCircuits	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AMS2305	文件：318.19 Kbytes Page：6 Pages	SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON)	AMSAdvanced Monolithic Systems 艾迈斯艾迈斯半导体	AMS
AP2305	文件：70.96 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-23packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplica	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2305AGN	文件：1.04729 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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产品属性

产品编号：
2305-V-RC
制造商：
Bourns Inc.
类别：
电感器，线圈，扼流圈 > 固定电感器
系列：
2300
包装：
托盘
类型：
环形
材料 - 磁芯：
铁粉
容差：
±15%
屏蔽：
无屏蔽
DC 电阻 (DCR)：
7 毫欧最大
工作温度：
-55°C ~ 105°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向，垂直（开放式）
大小 / 尺寸：
1.280" 直径 x 0.650" 宽（32.51mm x 16.51mm）
描述：
FIXED IND 22UH 16.4A 7 MOHM TH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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