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222212018221

RF Power Field Effect Transistor

865--960 MHz, 28 W AVG., 28 V SINGLE W--CDMA LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for CDMA base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single--Carrier W--CDMA Perfor

文件:813.97 Kbytes 页数:16 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

22284033

224-000307-20-TR

ABRACON

上传:三奇股份有限公司

2246077-1

连接器

TE

229HN

DIP-40

详细参数

  • 型号:

    222212018221

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全称:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    RF Power Field Effect Transistor

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更多222212018221供应商 更新时间2026-1-31 15:01:00