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20ETS12S	文件：179.24 Kbytes Page：7 Pages	INPUT RECTIFIER DIODE VF 文件：179.24 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
20ETS12S	文件：279.09 Kbytes Page：2 Pages	Input Rectifier Diode FEATURES · Low forward voltage drop · High frequency operation APPLICATIONS · International Rectifier Switches · Output Rectifiers 文件：279.09 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
20ETS12SPBF	文件：170.06 Kbytes Page：7 Pages	Input Rectifier Diode, 20 A DESCRIPTION The VS-20ETS..PbF, VS-20ATS..PbF rectifier high voltage series has been optimized for very low forward voltage drop, with moderate leakage. The glass passivation technology used has reliable operation up to 150 °C junction temperature. FEATURES • Designed and qualified according to 文件：170.06 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
20ETS12STRL	文件：179.24 Kbytes Page：7 Pages	INPUT RECTIFIER DIODE VF 文件：179.24 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
20ETS12STRLPBF	文件：170.06 Kbytes Page：7 Pages	Input Rectifier Diode, 20 A DESCRIPTION The VS-20ETS..PbF, VS-20ATS..PbF rectifier high voltage series has been optimized for very low forward voltage drop, with moderate leakage. The glass passivation technology used has reliable operation up to 150 °C junction temperature. FEATURES • Designed and qualified according to 文件：170.06 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
20ETS12STRR	文件：179.24 Kbytes Page：7 Pages	INPUT RECTIFIER DIODE VF 文件：179.24 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
20ETS12STRRPBF	文件：170.06 Kbytes Page：7 Pages	Input Rectifier Diode, 20 A DESCRIPTION The VS-20ETS..PbF, VS-20ATS..PbF rectifier high voltage series has been optimized for very low forward voltage drop, with moderate leakage. The glass passivation technology used has reliable operation up to 150 °C junction temperature. FEATURES • Designed and qualified according to 文件：170.06 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
20ETS12SPBF	文件：176.1 Kbytes Page：7 Pages	INPUT RECTIFIER DIODE 文件：176.1 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
20ETS12S	文件：300 bytes Page：1 Pages	DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK	Vishay 威世	Vishay
20ETS12S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

产品属性

产品编号：
20ETS12S
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
20A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
TO-263AB（D²PAK）
工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK

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更多20ETS12S供应商更新时间2026-4-17 13:30:00

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