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20ETS08FPPBF	文件：134.34 Kbytes Page：7 Pages	Input Rectifier Diode, 20 A DESCRIPTION/FEATURES The20ETS..FPPbFrectifierHighVoltageSerieshasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theglasspassivationtechnologyusedhasreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature. Typicalapplicationsareininputrectificationandthe	VishayVishay Siliconix 威世科技
20ETS08	文件：256.63 Kbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTABLEINPUTRECTIFIERDIODE Description/Features The20ETS..FPrectifierSAFEIRserieshasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theglasspassivationtechnologyusedhasreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature. Typicalapplicationsareininputrectificationandtheseproduct	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
20ETS08	文件：179.24 Kbytes Page：7 Pages	INPUTRECTIFIERDIODE VF	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
20ETS08	文件：238.71 Kbytes Page：2 Pages	InputRectifierDiode FEATURES ·Lowforwardvoltagedrop ·Highfrequencyoperation APPLICATIONS ·InternationalRectifierSwitches ·OutputRectifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
20ETS08FP	文件：263.72 Kbytes Page：2 Pages	InputRectifierDiode FEATURES ·Lowforwardvoltagedrop ·Highfrequencyoperation APPLICATIONS ·InternationalRectifierSwitches ·OutputRectifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
20ETS08FP	文件：256.63 Kbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTABLEINPUTRECTIFIERDIODE Description/Features The20ETS..FPrectifierSAFEIRserieshasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theglasspassivationtechnologyusedhasreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature. Typicalapplicationsareininputrectificationandtheseproduct	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
20ETS08FP	文件：134.34 Kbytes Page：7 Pages	InputRectifierDiode,20A DESCRIPTION/FEATURES The20ETS..FPPbFrectifierHighVoltageSerieshasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theglasspassivationtechnologyusedhasreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature. Typicalapplicationsareininputrectificationandthe	VishayVishay Siliconix 威世科技
20ETS08PBF	文件：228.26 Kbytes Page：9 Pages	HighVoltageInputRectifierDiode,20A DESCRIPTION TheVS-20ETS..PbF,VS-20ATS..PbFrectifierhighvoltageserieshasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theglasspassivationtechnologyusedhasreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature. FEATURES •Designedandqualifiedaccordingto	VishayVishay Siliconix 威世科技
20ETS08S	文件：179.24 Kbytes Page：7 Pages	INPUTRECTIFIERDIODE VF	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
20ETS08S	文件：279.91 Kbytes Page：2 Pages	InputRectifierDiode FEATURES ·Lowforwardvoltagedrop ·Highfrequencyoperation APPLICATIONS ·InternationalRectifierSwitches ·OutputRectifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
20ETS08SPBF	文件：170.06 Kbytes Page：7 Pages	InputRectifierDiode,20A DESCRIPTION TheVS-20ETS..PbF,VS-20ATS..PbFrectifierhighvoltageserieshasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theglasspassivationtechnologyusedhasreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature. FEATURES •Designedandqualifiedaccordingto	VishayVishay Siliconix 威世科技
20ETS08SPBF	文件：176.1 Kbytes Page：7 Pages	INPUTRECTIFIERDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
20ETS08STRL	文件：179.24 Kbytes Page：7 Pages	INPUTRECTIFIERDIODE VF	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
20ETS08STRLPBF	文件：170.06 Kbytes Page：7 Pages	InputRectifierDiode,20A DESCRIPTION TheVS-20ETS..PbF,VS-20ATS..PbFrectifierhighvoltageserieshasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theglasspassivationtechnologyusedhasreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature. FEATURES •Designedandqualifiedaccordingto	VishayVishay Siliconix 威世科技
20ETS08STRR	文件：179.24 Kbytes Page：7 Pages	INPUTRECTIFIERDIODE VF	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
20ETS08STRRPBF	文件：170.06 Kbytes Page：7 Pages	InputRectifierDiode,20A DESCRIPTION TheVS-20ETS..PbF,VS-20ATS..PbFrectifierhighvoltageserieshasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theglasspassivationtechnologyusedhasreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature. FEATURES •Designedandqualifiedaccordingto	VishayVishay Siliconix 威世科技
VS-20ETS08FPPbF	文件：147.02 Kbytes Page：7 Pages	HighVoltage,InputRectifierDiode,20A	VishayVishay Siliconix 威世科技
VS-20ETS08FPPBF	文件：122.15 Kbytes Page：7 Pages	HighVoltage,InputRectifierDiode,20A FEATURES •Verylowforwardvoltagedrop •150°Cmax.operatingjunctiontemperature •Glasspassivatedpelletchipjunction •Designedandqualifiedaccordingto JEDEC®-JESD47 •Fullyisolatedpackage(VINS=2500VRMS) •ULE78996approved •Materialcategorization:fordefinitionsof	VishayVishay Siliconix 威世科技
VS-20ETS08PbF	文件：226.27 Kbytes Page：8 Pages	HighVoltage,InputRectifierDiode,20A	VishayVishay Siliconix 威世科技
VS-20ETS08SPBF	文件：170.88 Kbytes Page：7 Pages	HighVoltageSurfaceMountInputRectifierDiode,20A	VishayVishay Siliconix 威世科技

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详细参数

型号：
20ETS08FPPBF
功能描述：
DIODE STD REC 800V 20A TO220AC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列：
-
标准包装：
100
二极管类型：
标准电压
-(Vr)（最大）：
50V 电流 -
平均整流(Io)：
6A 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）：
1.4V @ 6A
速度：
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)：
300ns 电流 - 在 Vr
时反向漏电：
15µA @ 50V 电容@ Vr,
F：
-
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装：
DO-203AA
包装：
散装
其它名称：
*1N3879

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多20ETS08FPPBF供应商更新时间2024-4-27 11:36:00

详细参数

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