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1SV325,H3F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-79，SOD-523；包装：托盘类别：分立半导体产品二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）描述：DIODE VARACTOR 10V ESC	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
1SV325	文件：92.48 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBADiodeSiliconEpitaxialPlanarType TCXO/VCO •Highcapacitanceratio:C1V/C4V=4.3(typ.) •Lowseriesresistance:rs=0.4Ω(typ.) •Usefulforsmallsizetuner.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
1SX250LN2F43I2VG	文件：0 bytes Page：0 Pages	INTEL(英特尔)	INTEL(英特尔) 上传：深圳市盈慧通电子有限公司	INTEL(英特尔)
1SX250LN3F43I2VG	文件：0 bytes Page：0 Pages	INTEL(英特尔) -	INTEL(英特尔) 上传：深圳市盈慧通电子有限公司	INTEL(英特尔)
1uF±20	文件：0 bytes Page：0 Pages	三星	三星上传：深圳市勤尚伟业电子有限公司	三星

产品属性

产品编号：
1SV325,H3F
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
包装：
托盘
不同 Vr、F 时电容：
12pF @ 4V，1MHz
电容比条件：
C1/C4
二极管类型：
单路
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-79，SOD-523
供应商器件封装：
ESC
描述：
DIODE VARACTOR 10V ESC

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更多1SV325,H3F供应商更新时间2025-8-3 11:10:00

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