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1SV322	文件：43.61 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiode SiliconEpitaxialPlanarDiode Features HighCapacitanceRatio:C1V/C4V=4.3(Typ.) LowSeriesResistance:rs=0.4Ω(Typ.) UsefulforSmallSizeTuner	ZHAOXINGWEI Zhaoxingwei Electronics ., Ltd	ZHAOXINGWEI
1SV322	文件：87.8 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBADiodeSiliconEpitaxialPlanarType TCXO/VCO •Highcapacitanceratio:C1V/C4V=4.3(typ.) •Lowseriesresistance:rs=0.4Ω(typ.) •Usefulforsmallsizetuner.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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更多1SV322(TPH3,F)供应商更新时间2025-6-28 15:16:00