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1SV234-TB-E数据手册分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF

厂商型号 |
1SV234-TB-E |
参数属性 | 1SV234-TB-E 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE PIN 50V 150MW CP |
功能描述 | PIN Diode |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 21:04:00 |
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1SV234-TB-E规格书详情
简介
1SV234-TB-E属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的1SV234-TB-E二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。
技术参数
更多- 产品编号:
1SV234-TB-E
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装:
散装
- 二极管类型:
PIN - 1 对串联
- 电压 - 峰值反向(最大值):
50V
- 不同 Vr、F 时电容:
0.23pF @ 50V,1MHz
- 不同 If、F 时电阻:
5 欧姆 @ 10mA,100MHz
- 工作温度:
125°C(TJ)
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 描述:
RF DIODE PIN 50V 150MW CP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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