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1SS401(TE85L,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-70，SOT-323 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
1SS401	文件：107.8 Kbytes Page：2 Pages	DIODE(HIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS) HighSpeedSwitchingApplications •Lowforwardvoltage:VF(3)=0.38V(typ.) •Lowreversecurrent:IR=50μA(max) •Smalltotalcapacitance:CT=46pF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SS401	文件：173.49 Kbytes Page：3 Pages	HighSpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SS401	文件：43.29 Kbytes Page：1 Pages	HIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS Features •Lowforwardvoltage:VF(3)=0.38V(Typ) •Lowreversecurrent:IR=50A •Smalltotalcapacitance:CT=46pF(Typ)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1SS401	文件：111.59 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES •Smalltotalcapacitance. •Lowreversecurrent. •Lowforwardvoltage:VF=0.38V(typ). APPLICATIONS •Forgeneralpurposeapplications.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1SS401	文件：299.31 Kbytes Page：2 Pages	SchottokyDIODES FEATURES •Lowforwardvoltage:VF=0.38V(typ.) •Lowreversecurrent:IR=50uA(max) •Smalltotalcapacitance:CT=46pF(typ.)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
1SS401	文件：628.44 Kbytes Page：4 Pages	SchottokyBarrierDiode SchottokyBarrierDiode FEATURES •Lowforwardvoltage •Lowreversecurrent •Smalltotalcapacitance	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
1SS401	文件：1.04056 Mbytes Page：2 Pages	SchottkyDiodes FEATURES •Lowforwardvoltage:VF=0.38V(typ.) •Lowreversecurrent:IR=50uA(max) •Smalltotalcapacitance:CT=46pF(typ.)	ZHAOXINGWEIZhaoxingwei Electronics ., Ltd 兆兴威深圳市兆兴威电子有限公司	ZHAOXINGWEI
1SS401	文件：106.02 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1SS401	文件：257.959 Kbytes Page：2 Pages	SchottokyDiode Features ◇Lowforwardvoltage:VF=0.38V(typ.) ◇Lowreversecurrent:IR=50uA(max) ◇Smalltotalcapacitance:CT=46pF(typ.)	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1SS401	文件：192.86 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES •Smalltotalcapacitance. •Lowreversecurrent. •Lowforwardvoltage:VF=0.38V(typ). APPLICATIONS •Forgeneralpurposeapplications.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1SS401	文件：131.53 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

产品属性

产品编号：
1SS401(TE85L,F)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
300mA
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
46pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70
工作温度 - 结：
125°C（最大）
描述：
DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70

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