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1SS387CT,L3FT

SwitchingDiodesSiliconEpitaxialPlanar

1.Applications •Ultra-High-SpeedSwitching 2.Features (1)Smallpackage (2)Lowforwardvoltage:VF(3)=0.98V(typ.) (3)Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) (4)Smalltotalcapacitance:Ct=0.5pF(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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