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1SS187中文资料PDF规格书

1SS187
厂商型号

1SS187

参数属性

1SS187 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI

功能描述

SOT-23 Plastic-Encapsulate DIODE

文件大小

88.61 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD
企业简称

WINNERJOIN永而佳实业

中文名称

深圳市永而佳实业有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二原厂数据手册

更新时间

2024-6-11 12:00:00

1SS187规格书详情

SOT-23 Plastic-Encapsulate DIODE

Features

● Power dissipation

PD : 150 mW (Tamb=25°C)

● Forward Current

IF : 100 mA

● Reverse Voltage

VR : 80V

● Operating and storage junction temperature range

Tj , Tstg : -55°C to +150°C

产品属性

  • 产品编号:

    1SS187,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    100mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    4pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    S-Mini

  • 工作温度 - 结:

    125°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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