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1SS181

Surfacemountswitchingdiode

FEATURES •Lowforwardvoltage VF(3)=0.92V(typ). •Fastswitching. •Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ) APPLICATIONS •Highspeedswitchingapplication.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

1SS181

UltraHighSpeedSwitchingApplication

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

1SS181

DIODE(ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS)

UltraHighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage:SC-59 ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.92V(Typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(Typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=2.2pF(Typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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