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1PMT5936BT1G中文资料DIODE ZENER 30V 3.2W POWERMITE数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

1PMT5936BT1G

参数属性

1PMT5936BT1G 封装/外壳为DO-216AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 30V 3.2W POWERMITE

功能描述

DIODE ZENER 30V 3.2W POWERMITE

封装外壳

DO-216AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 11:10:00

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1PMT5936BT1G规格书详情

简介

1PMT5936BT1G属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由制造生产的1PMT5936BT1G二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

技术参数

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  • 产品编号:

    1PMT5936BT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 容差:

    ±5%

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-216AA

  • 供应商器件封装:

    Powermite

  • 描述:

    DIODE ZENER 30V 3.2W POWERMITE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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