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1PMT5931BT1分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

1PMT5931BT1
厂商型号

1PMT5931BT1

参数属性

1PMT5931BT1 封装/外壳为DO-216AA;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 18V 3.2W POWERMITE

功能描述

3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package
DIODE ZENER 18V 3.2W POWERMITE

封装外壳

DO-216AA

文件大小

62.25 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-29 23:00:00

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1PMT5931BT1规格书详情

1PMT5931BT1属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由安森美半导体公司制造生产的1PMT5931BT1二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

PLASTIC SURFACE MOUNT 3.2 WATT ZENER DIODES 6.2 − 47 VOLTS

This complete new line of 3.2 Watt Zener Diodes are offered in highly efficient micro miniature, space saving surface mount with its unique heat sink design. The POWERMITE package has the same thermal performance as the SMA while being 50 smaller in footprint area and delivering one of the lowest height profiles (1.1 mm) in the industry. Because of its small size, it is ideal for use in cellular phones, portable devices, business machines and many other industrial/consumer applications.

Specification Features:

• Zener Breakdown Voltage: 6.2 − 47 Volts

• DC Power Dissipation: 3.2 Watts with Tab 1 (Cathode) @ 75°C

• Low Leakage < 5 μA

• ESD Rating of Class 3 (> 16 kV) per Human Body Model

• Low Profile − Maximum Height of 1.1 mm

• Integral Heat Sink/Locking Tabs

• Full Metallic Bottom Eliminates Flux Entrapment

• Small Footprint − Footprint Area of 8.45 mm²

• Supplied in 12 mm Tape and Reel

T1 = 3,000 Units per Reel

T3 = 12,000 Units per Reel

• POWERMITE is JEDEC Registered as DO−216AA

• Cathode Indicated by Polarity Band

产品属性

更多
  • 产品编号:

    1PMT5931BT1

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 容差:

    ±5%

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-216AA

  • 供应商器件封装:

    Powermite

  • 描述:

    DIODE ZENER 18V 3.2W POWERMITE

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