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1PMT5925BT1G分立半导体产品二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
1PMT5925BT1G |
| 参数属性 | 1PMT5925BT1G 封装/外壳为DO-216AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单；产品描述：DIODE ZENER 10V 3.2W POWERMITE |
| 功能描述 | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
| 文件大小 |
62.91 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-24 17:07:00 |
1PMT5925BT1G规格书详情
1PMT5925BT1G属于分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单。安森美半导体公司制造生产的1PMT5925BT1G二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。
产品属性
- 产品编号：
1PMT5925BT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 容差：
±5%
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
DO-216AA
- 供应商器件封装：
Powermite
- 描述：
DIODE ZENER 10V 3.2W POWERMITE
