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1PMT5921BT1G分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
1PMT5921BT1G |
参数属性 | 1PMT5921BT1G 封装/外壳为DO-216AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 6.8V 3.2W POWERMITE |
功能描述 | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
封装外壳 | DO-216AA |
文件大小 |
62.91 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
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1PMT5921BT1G规格书详情
1PMT5921BT1G属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由安森美半导体公司制造生产的1PMT5921BT1G二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。
产品属性
更多- 产品编号:
1PMT5921BT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 容差:
±5%
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
DO-216AA
- 供应商器件封装:
Powermite
- 描述:
DIODE ZENER 6.8V 3.2W POWERMITE
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
DO216AA2 |
7350 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
24+ |
DO214AB |
96000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
84000 |
只做原装进口现货 |
询价 | |||
ON/安森美 |
23+ |
5000 |
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询价 | |||
ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
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询价 | ||
ON |
17+ |
SO |
3000 |
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ON |
21+ |
SO |
3000 |
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ONSEMI |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
ON |
23+ |
SO |
3000 |
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