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1N914B分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

1N914B
厂商型号

1N914B

参数属性

1N914B 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

功能描述

SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

封装外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

文件大小

121.41 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企业简称

BILIN银河微电

中文名称

常州银河世纪微电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-2 9:38:00

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1N914B规格书详情

REVERSE VOLTAGE: 75 V CURRENT: 75 mA

FEATURES

◇ Glass sealed envelope. (MSD)

◇ VRM=100V guaranteed

◇ High reliability

产品属性

  • 产品编号:

    1N914B

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    4pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AH,DO-35,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-35

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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