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1N914B	文件：11.42 Kbytes Page：1 Pages	SIGNALDIODE	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
1N914B	文件：138.9 Kbytes Page：1 Pages	DiodeData	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
1N914B	文件：86.34 Kbytes Page：3 Pages	500mW100VoltSiliconEpitaxialDiodes Features •MoistureSensitivityLevel1 •LowCurrentLeakage •CompressionBondConstruction •LowCost •Marking:Cathodebandandtypenumber •LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1N914B	文件：102.78 Kbytes Page：2 Pages	500mWHighSpeedSwitchingDiode FEATURES -Fastswitchingdevice(trr	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
1N914B	文件：39.24 Kbytes Page：2 Pages	HIGHSPEEDSWITCHINGDIODES FEATURES: •Highswitchingspeed:max.4ns •Continuousreversevoltage:max.75V •Repetitivepeakreversevoltage:max.100V •Repetitivepeakforwardcurrent:max.225mA •Pb/RoHSFree	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
1N914B	文件：106.44 Kbytes Page：1 Pages	HIGHCONDUCTANCEULTRAFASTSWITCHESDIFFUSEDSILICONPLANARDIODES HIGHCONDUCTANCEULTRAFASTSWITCHESDIFFUSEDSILICONPLANARDIODES •trr...4.0ns(MAX) •BV...100V(MIN)	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N914B	文件：48.73 Kbytes Page：2 Pages	HIGHSPEEDSWITCHINGDIODES FEATURES: •Highswitchingspeed:max.4ns •Continuousreversevoltage:max.75V •Repetitivepeakreversevoltage:max.100V •Repetitivepeakforwardcurrent:max.225mA •Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N914B	文件：274.704 Kbytes Page：2 Pages	75VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
1N914B	文件：274.991 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
1N914B	文件：94.31 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode Features •Fastswitchingspeed •Highreliability	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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产品属性

产品编号：
1N914ATR
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
4pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35
工作温度 - 结：
175°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

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更多1N914ATR供应商更新时间2025-7-24 9:35:00

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