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1N914中文资料250 mW EPITAXIAL PLANAR DIODES数据手册FCI规格书

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厂商型号

1N914

参数属性

1N914 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

功能描述

250 mW EPITAXIAL PLANAR DIODES

封装外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

制造商

FCI FCI connector

中文名称

富加宜 富加宜连接器(东莞)有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-11-20 20:09:00

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1N914规格书详情

特性 Features

■ PLANAR PROCESS
■ 250 mW POWER DISSIPATION
■ INDUSTRY STANDARD D0-35 PACKAGE
■ MEETS UL SPECIFICATION 94V-0

技术参数

  • 产品编号:

    1N914

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    4pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AH,DO-35,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-35(DO-204AH)

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
DO-35
50000
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