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1N8035-GA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Rectifiers	Navitas 纳微半导体	Navitas
1N8035-GA	文件：671.69 Kbytes Page：5 Pages	High Temperature Silicon Carbide Power Schottky Diode 文件：671.69 Kbytes 页数：5 Pages	GENESIC	GENESIC
1N8035-GA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-276AA；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276	GeneSiC Semiconductor	GeneSiC Semiconductor
1N914ATR	文件：0 bytes Page：0 Pages	DO-35	ON/安森美上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	ON/安森美
1N914B	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	Fairchild 仙童半导体上传：深圳市华康联电子科技有限公司（销售一部）	Fairchild

产品属性

产品编号：
1N8035-GA
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
14.6A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
1107pF @ 1V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-276AA
供应商器件封装：
TO-276
工作温度 - 结：
-55°C ~ 250°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

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