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1N757ATR功能描述:稳压二极管 9.1V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel

1N757ATR_Q功能描述:稳压二极管 9.1V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel

1N757ATR-1制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON 400 mW ZENER DIODES

产品属性

  • 产品编号：

    1N757ATR

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装：

    卷带（TR）剪切带（CT）

  • 容差：

    ±5%

  • 工作温度：

    -65°C ~ 200°C

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    DO-204AH，DO-35，轴向

  • 供应商器件封装：

    DO-35

  • 描述：

    DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35

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