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1N6818R分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

1N6818R
厂商型号

1N6818R

参数属性

1N6818R 封装/外壳为ThinKey™3;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:POWER SCHOTTKY

功能描述

LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE

封装外壳

ThinKey™3

文件大小

88.48 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

MICROSEMI美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 14:15:00

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1N6818R规格书详情

Features

• Tungsten/Platinum schottky barrier for very low VF

• Oxide passivated structure for very low leakage currents

• Guard ring protection for increased reverse energy capability

• Epitaxial structure minimizes forward voltage drop

• Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package

• Low package inductance

• Very low thermal resistance

• Available as standard polarity (strap is anode: 1N6818) and reverse

polarity (strap is cathode: 1N6818R)

产品属性

  • 产品编号:

    1N6818R

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    肖特基,反极性

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    75A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    ThinKey™3

  • 供应商器件封装:

    ThinKey™3

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    POWER SCHOTTKY

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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