1N6629U数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF
1N6629U规格书详情
描述 Description
This “Ultrafast Recovery” rectifier diode series is military qualified to MIL-PRF-19500/590 and is ideal for high-reliability applications where a failure cannot be tolerated. These industry-recognized 2.0 to 4.0 Amp rated rectifiers for working peak reverse voltages from 200 to 1000 volts are hermetically sealed with voidless-glass construction using an internal “Category I” metallurgical bond. These devices are also available in surface mount MELF package configurations by adding a “US” suffix (see separate data sheet for 1N6626US thru 1N6631US). Microsemi also offers numerous other rectifier products to meet higher and lower current ratings with various recovery time speed requirements including standard, fast and ultrafast device types in both through-hole and surface mount packages.
技术参数
- 产品编号：
1N6629US
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
散装
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
1.4A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
40pF @ 10V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SQ-MELF，A
- 供应商器件封装：
A-MELF
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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DIP(DO-41) |
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MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | |||
Microsemi |
25+ |
电联咨询 |
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Microsemi Corporation |
25+ |
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Microsemi |
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ST |
25+ |
DIP(DO-41) |
16900 |
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