1N6625分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
1N6625 |
| 参数属性 | 1N6625 封装/外壳为A,轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL |
| 功能描述 | Axial Leaded Hermetically Sealed Ultra Fast Recovery Rectifier Diode |
| 封装外壳 | A,轴向 |
| 文件大小 |
37.21 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | SEMTECH |
| 中文名称 | 先之科 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-30 18:09:00 |
| 人工找货 | 1N6625价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
1N6625规格书详情
VR = 200 - 1000V
IF = 1.5 - 2.0 A
trr= 30 - 60ns
VF = 1.6 -1.95V
特性 Features
Low reverse leakage current
Hermetically sealed in fused metal oxide
Good thermal shock resistance
Low forward voltage drop
Avalanche capability
产品属性
- 产品编号:
1N6625
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
散装
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
1A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
10pF @ 10V,1MHz
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
A,轴向
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSCI |
24+ |
SMD |
2000 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
DIP(DO-41) |
16900 |
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Microchip Technology |
25+ |
A 轴向 |
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询价 | ||
Microsemi/美高森美 |
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SQ-MELF |
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询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
21+ |
SQ-MELF |
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询价 | ||
MICROSEMI |
25+23+ |
MELF |
8497 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
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23+ |
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询价 | |||
ST |
2511 |
DIP(DO-41) |
16900 |
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MSCI |
专业军工 |
NA |
1000 |
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询价 | ||
MICROCHIP |
23+ |
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询价 |

