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1N6479分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

1N6479

参数属性

1N6479 封装/外壳为DO-213AB,MELF(玻璃);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

功能描述

SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER

封装外壳

DO-213AB,MELF(玻璃)

文件大小

82.69 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

GE

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 23:00:00

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1N6479规格书详情

FEATURES

♦ Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0

♦ For surface mount applications

♦ High temperature metallurgically bonded construction

♦ Glass passivated cavity-free junction

♦ Capable of meeting environmental standards of MIL-S-19500

♦ High temperature soldering guaranteed: 450°C/5 seconds at terminals. Complete device submersible temperature of 265°C for 10 seconds in solder bath

产品属性

  • 产品编号:

    1N6479-E3/97

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    SUPERECTIFIER®

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    8pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-213AB,MELF(玻璃)

  • 供应商器件封装:

    DO-213AB

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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