1N6382中文资料PDF规格书
1N6382规格书详情
FEATURES
• Glass passivated chip junction
• Available in uni-directional and bi-directional
• 1500 W peak pulse power capability with a
10/1000 µs waveform, repetitive rate (duty
cycle): 0.01
• Excellent clamping capability
• Very fast response time
• Low incremental surge resistance
• Solder dip 260 °C, 40 s
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching
and lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor
units for consumer, computer, industrial and
telecommunication.
产品属性
- 产品编号：
1N6382-E3/54
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
电路保护 > TVS - 二极管
- 系列：
TransZorb®
- 包装：
卷带（TR）
- 类型：
齐纳
- 电压 - 反向断态（典型值）：
8V
- 电压 - 击穿（最小值）：
9.4V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
11.6V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
100A
- 功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
- 电源线路保护：
无
- 应用：
通用
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
DO-201AA，DO-27，轴向
- 供应商器件封装：
1.5KE
- 描述：
TVS DIODE 8VWM 11.6VC 1.5KE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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