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1N6008B_T50R中文资料Alldatasheet PDF

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1N6008B功能描述:稳压二极管 22 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel

1N6008B R0制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-35;ZENER 500MW 22V

1N6008B_T50A功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel

1N6008B_T50R功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel

1N6008B-TP制造商:Micro Commercial Components(MCC) 功能描述:Diode Zener Single 22V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R

产品属性

  • 产品编号:

    1N6008B

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装:

    散装

  • 容差:

    ±5%

  • 工作温度:

    -65°C ~ 175°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AH,DO-35,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-35

  • 描述:

    DIODE ZENER 22V 500MW DO35