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1N5937B	文件：49.4 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5937B	文件：227.56 Kbytes Page：3 Pages	Axial-Leaded1.5WattZenerDiodes DESCRIPTION The1N5913BG-5956BGseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithavarietyoftolerancesavailable.Theyarealsoavailableinvariousmilitaryequivalentscreeninglevelsforhighreliability.TheseglassencapsulatedZenerswithaG	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5937B	文件：70.14 Kbytes Page：8 Pages	3WDO??1SurmeticTM30ZenerVoltageRegulators Thisisacompleteseriesof3WZenerdiodeswithlimitsandexcellentoperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxial−lead, transfer−moldedplasticpackagethatoffersprotectioninallcommonenvironmentalcondition	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5937B	文件：226.8 Kbytes Page：3 Pages	Axial-Leaded1.5WattZenerDiodes DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5937B	文件：89.49 Kbytes Page：3 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5937B	文件：124.07 Kbytes Page：4 Pages	1.5WattZenerDiode11to200Volts Features •GlassPassivatedJunction •LowProfilePackage •LowInductance •Built-inStrainRelief	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1N5937B	文件：157.75 Kbytes Page：2 Pages	1.5WSILICONZENERDIODE VOLTAGERANGE3.3to200Volts FEATURES Zenervoltage3.3Vto200V Withstandslargesurgestresses	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
1N5937B	文件：204.72 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
1N5937B	文件：81.95 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE(VOLTAGE-11TO200VoltsPower-1.5Watts) VOLTAGE3.3to200VoltsPOWER1.5Watts FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowinductance •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Pbfreeproductareavailable:99SncanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5937B	文件：378.51 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadAxialLead Features ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●RoHScompliant ●Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA

产品属性

产品编号：
1N5937BP-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）
容差：
±5%
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
描述：
DIODE ZENER 33V 1.5W DO-41

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