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1N5935B/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：VOLTAGE REGULATOR	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5935	文件：125.03 Kbytes Page：1 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5935	文件：89.49 Kbytes Page：3 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5935	文件：2.17986 Mbytes Page：3 Pages	ZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
1N5935	文件：2.01679 Mbytes Page：14 Pages	ZENERDIODES	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
1N5935A	文件：93.62 Kbytes Page：1 Pages	1.5WATTSZENERDIODES 1.5WATTSZENERDIODES 3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5935A	文件：288.18 Kbytes Page：3 Pages	POWERDISSIPATION:1.5W Features ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Nosuffixindicatesa±20toleranceonnominalVz. SuffixAdenotesa±10,SuffixBdenotesa±5, SuffixCdenotesa±2,SuffixDdenotesa±1.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N5935A	文件：505.379 Kbytes Page：3 Pages	1.5W27VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N5935A	文件：113.52 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattZENERDIODES(3.3Vto200V) Features ■5&10VOLTAGETOLERANCESAVAILABLE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCI Amphenol ICC	FCI
1N5935A	文件：36.88 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
1N5935A	文件：95.56 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC	EIC
1N5935A	文件：15.69 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
1N5935B	文件：124.07 Kbytes Page：4 Pages	1.5WattZenerDiode11to200Volts Features •GlassPassivatedJunction •LowProfilePackage •LowInductance •Built-inStrainRelief	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
1N5935B	文件：89.49 Kbytes Page：3 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5935B	文件：53.8 Kbytes Page：1 Pages	ZENERDIODES	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
1N5935B	文件：227.56 Kbytes Page：3 Pages	Axial-Leaded1.5WattZenerDiodes DESCRIPTION The1N5913BG-5956BGseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithavarietyoftolerancesavailable.Theyarealsoavailableinvariousmilitaryequivalentscreeninglevelsforhighreliability.TheseglassencapsulatedZenerswithaG	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5935B	文件：226.8 Kbytes Page：3 Pages	Axial-Leaded1.5WattZenerDiodes DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5935B	文件：70.14 Kbytes Page：8 Pages	3WDO??1SurmeticTM30ZenerVoltageRegulators Thisisacompleteseriesof3WZenerdiodeswithlimitsandexcellentoperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxial−lead, transfer−moldedplasticpackagethatoffersprotectioninallcommonenvironmentalcondition	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5935B	文件：81.95 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE(VOLTAGE-11TO200VoltsPower-1.5Watts) VOLTAGE3.3to200VoltsPOWER1.5Watts FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowinductance •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Pbfreeproductareavailable:99SncanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5935B	文件：204.72 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE	TRSYS Transys Electronics	TRSYS

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产品属性

产品编号：
1N5935B/TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）
容差：
±5%
工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
描述：
VOLTAGE REGULATOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	1N5935B/TR	MICROCHIP(美国微芯)	23+	DO41	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
深圳市云美电子科技有限公司	1N5935B[3EZ27D5	SUNMATE	22+	DO-41	78236	原装正品现货假一赔十	询价
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更多1N5935B/TR供应商更新时间2024-6-17 16:46:00

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