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1N5932B	文件：105.54 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5932B	文件：347.3 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODE1.5WATT,3.3THRU200VOLTS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR1N5913BseriessiliconZenerdiodeisahighqualityvoltageregulatordesignedforuseinautomotive,industrial,commercial,entertainmentandcomputerapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
1N5932B	文件：208.4 Kbytes Page：1 Pages	Axial-Leaded1.5Wattdiodes Axial-Leaded1.5Wattdiodes	AMMSEMIAmerican Microsemiconductor 美国微半导体有限公司	AMMSEMI
1N5932B	文件：137.12 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N5932B	文件：738.238 Kbytes Page：4 Pages	3W20VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
1N5932B	文件：157.75 Kbytes Page：2 Pages	1.5WSILICONZENERDIODE VOLTAGERANGE3.3to200Volts FEATURES Zenervoltage3.3Vto200V Withstandslargesurgestresses	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
1N5932B	文件：240.79 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadZenerDiodes VZ:5.6to200V PD:1.5W Features ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lead(Pb)-freecomponent ●Foruseinstabilizingandclippingcircuits withhighpowerrating MechanicalData ●Case:Moldedp	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA
1N5932B	文件：451.06 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODEVOLTAGE-11TO200Volts FEATURES ●Lowprofilepackage ●Built-instrainrelief ●Glasspassivatedjunction ●Lowinductance ●TypicalIRlessthan1£gAabove11V ●Hightemperaturesoldering:260℃/10secondsatterminals ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassificati	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N5932B	文件：346.85 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattsAxialLeadedZenerDiodes Features ●CompleteVoltageRange3.3to200Volts ●Highreliability ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
1N5932B	文件：70.14 Kbytes Page：8 Pages	3WDO??1SurmeticTM30ZenerVoltageRegulators Thisisacompleteseriesof3WZenerdiodeswithlimitsandexcellentoperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxial−lead, transfer−moldedplasticpackagethatoffersprotectioninallcommonenvironmentalcondition	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
1N5932BP-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）
容差：
±5%
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
描述：
DIODE ZENER 20V 1.5W DO-41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
千层芯半导体(深圳)有限公司	1N5932BRL	ON	24+	Surmetic30	6000	进口原装正品假一赔十,货期7-10天	询价
深圳市威雅利发展有限公司	1N5932BRL	ON	0311+	DO41	50	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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深圳市一线半导体有限公司	1N5932BRLG	ON	24+		7700		询价

更多1N5932BP-TP供应商更新时间2025-5-22 14:26:00

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