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1N5913A	文件：15.69 Kbytes Page：2 Pages	SILICON ZENER DIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
1N5913A	文件：113.52 Kbytes Page：2 Pages	1.5 Watt ZENER DIODES(3.3V to 200V) Features ■5&10VOLTAGETOLERANCESAVAILABLE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCI Amphenol ICC	FCI
1N5913A	文件：36.88 Kbytes Page：2 Pages	SILICON ZENER DIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
1N5913A	文件：122.03 Kbytes Page：2 Pages	SILICON ZENER DIODES SILICONZENERDIODES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N5913A	文件：93.62 Kbytes Page：1 Pages	1.5 WATTS ZENER DIODES 1.5WATTSZENERDIODES 3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5913A	文件：288.18 Kbytes Page：3 Pages	POWER DISSIPATION: 1.5W Features ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Nosuffixindicatesa±20toleranceonnominalVz. SuffixAdenotesa±10,SuffixBdenotesa±5, SuffixCdenotesa±2,SuffixDdenotesa±1.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N5913A	文件：499 Kbytes Page：3 Pages	AXIAL LEADED SILICON ZENER DIODES Features ●CompleteVoltageRange3.3to240Volts ●Lowleakagecurrent ●Highreliability ●Highpeakreversepowerdissipation	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
1N5913A	文件：505.379 Kbytes Page：3 Pages	1.5W 3.3V Zener diode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N5913A	文件：95.56 Kbytes Page：2 Pages	SILICON ZENER DIODES	EIC EIC	EIC
1N5913A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5913A_06	文件：95.56 Kbytes Page：2 Pages	SILICON ZENER DIODES	EIC EIC	EIC
1N5913AG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 3.3V 1.25W DO204AL	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5913AP/TR12	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 3.3V 1.5W DO204AL	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5913	文件：89.49 Kbytes Page：3 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5913	文件：113.52 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattZENERDIODES(3.3Vto200V) Features ■5&10VOLTAGETOLERANCESAVAILABLE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCI Amphenol ICC	FCI
1N5913	文件：2.01679 Mbytes Page：14 Pages	ZENERDIODES	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
1N5913	文件：2.17986 Mbytes Page：3 Pages	ZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
1N5913	文件：125.03 Kbytes Page：1 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5913B	文件：53.8 Kbytes Page：1 Pages	ZENERDIODES	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
1N5913B	文件：125.03 Kbytes Page：1 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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产品属性

产品编号：
1N5913A
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
散装
描述：
DIODE ZENER

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更多1N5913A供应商更新时间2024-4-23 14:51:00

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